买卖IC网 >> 产品目录 >> IRF6702M2DTR1P MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

IRF6702M2DTR1P

库存数量：可订货
制造商：International Rectifier
描述：MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 20V VGS MAX
IRF6702M2DTR1P PDF下载
制造商 International Rectifier
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 15 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 11.3 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 175 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 Direct-FET MA
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 IRF6702M2DTR1P
IRF6702M2DTR1PBF
IRF6702M2DTRPBF
IRF6706S2TR1PBF
IRF6706S2TRPBF
IRF6708S2TR1PBF
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深圳市世锐科技有限公司 13724335556 陶巍
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  • IRF6702M2DTR1P 参考价格
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